ぶんしせんエピタキシーほう【分子線エピタキシー法】 〔molecular beam epitaxy〕 超高真空下で原料となる金属などを加熱して分子線を発生させ，目標の基板の結晶に照射し薄膜を成長させる方法。最先端のデバイス開発に用いられる。分子線エピタキシャル法。MBE 。